30 лет успешно решаем задачи миниатюризации фотоприемных устройств
Наше предприятие имеет честь предложить Вам свою продукцию - фотодиоды и фотодиодные сборки, разрабатываемые силами высококлассных специалистов и изготовляемые с использованием современных микроэлектронных технологий.
  • 5 класс точности
  • Последние достижения в технологии монтажа новейшие электронных компонентов ведущих мировых производителей

Фотодиод КДФ113А8-3

Скачать спецификацию
Характеристика Значение
Область рабочих температур, 0С -60..+85
Эффективная фоточувствительная площадь, мм2 1,51
Темновой ток элемента при U=10 B, типичный (max), нА 0,5 (2)
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 870 нм 0,50
Спектральный диапазон, нм 700 - 1100
Длина волны максимума спектральной чувствительности при U = 10 В, нм 870
Ток короткого замыкания при 100 лк, мкА 1,3
Емкость при F=1МГц, U=0 (10) В, пФ 32 (15)
Время нарастания (спада) при U = 15 В, Rн = 50 Ом, нc 12 (12,5)
Предельная частота при U = 15 В, Rн = 50 Ом, МГц 30
Удельная обнаружительная способность при T = 25 0C, λ = 870 нм, U = 10 мВ, см√Гц/Вт 2 1013
Сопротивление при нулевом смещении, Мом > 5000
Температурный коэффициент темнового тока, n/0C 1,15
Размер чипа, мм 1,4x1,4
Размер фоточувствительного элемента, мм 1,25х1,25
Плоский угол зрения по уровню 0,5, град 100
Габариты без выводов, мм 4,8