30 лет успешно решаем задачи миниатюризации фотоприемных устройств
Наше предприятие имеет честь предложить Вам свою продукцию - фотодиоды и фотодиодные сборки, разрабатываемые силами высококлассных специалистов и изготовляемые с использованием современных микроэлектронных технологий.
  • 5 класс точности
  • Последние достижения в технологии монтажа новейшие электронных компонентов ведущих мировых производителей

Фотодиод КДФМ4-02

Скачать спецификацию
Характеристика Значение
Область рабочих температур, 0С -60..+85
Эффективная фоточувствительная площадь, мм2 2,75
Темновой ток элемента при U=5 B, типичный (max), нА 1,0 (1,0)
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 365 нм 0,12
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 660 нм 0,38
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 780 нм 0,48
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 830 нм 0,50
Спектральный диапазон, нм 320-1100
Длина волны максимума спектральной чувствительности при U = 10 В, нм 890
Фототок при U=5 B, Еэ =0.5 мВт/см2 , тип (min), мкА 9 (>7)
Разброс значений фототока, % <10
Емкость при F=1МГц, U=0 (10) В, пФ <45
Температурный коэффициент темнового тока, n/0C 1,11
Размер чипа, мм 3,8x3,8
Размер фоточувствительного элемента, мм 1,7х1,7
Число элементов 4
Межэлементный зазор, мм 0,1
Плоский угол зрения по уровню 0,5, град 120
Габариты без выводов, мм 7,8x7,8