| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Область рабочих температур, 0С | -60..+85 |
| Эффективная фоточувствительная площадь, мм2 | 4,83 |
| Темновой ток элемента при U=10 B, типичный (max), нА | 0,5 (2) |
| Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 522 нм | 0,18 |
| Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 589 нм | 0,20 |
| Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 680 нм | 0,30 |
| Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 870 нм | 0,55 |
| Спектральный диапазон, нм | 400 - 1100 |
| Длина волны максимума спектральной чувствительности при U = 10 В, нм | 870 |
| Ток короткого замыкания при 100 лк, мкА | 7,8 |
| Емкость при F=1МГц, U=0 (10) В, пФ | 32 (15) |
| Время нарастания (спада) при U = 15 В, Rн = 50 Ом, нc | 12 (12,5) |
| Предельная частота при U = 15 В, Rн = 50 Ом, МГц | 30 |
| Удельная обнаружительная способность при T = 25 0C, λ = 870 нм, U = 10 мВ, см√Гц/Вт | 4 1013 |
| Сопротивление при нулевом смещении, Мом | > 5000 |
| Размер чипа, мм | 1,4x1,4 |
| Размер фоточувствительного элемента, мм | 1,25х1,25 |
| Плоский угол зрения по уровню 0,5, град | 35 |
| Габариты без выводов, мм | 4,8 |