30 лет успешно решаем задачи миниатюризации фотоприемных устройств
Наше предприятие имеет честь предложить Вам свою продукцию - фотодиоды и фотодиодные сборки, разрабатываемые силами высококлассных специалистов и изготовляемые с использованием современных микроэлектронных технологий.
  • 5 класс точности
  • Последние достижения в технологии монтажа новейшие электронных компонентов ведущих мировых производителей

Фотодиод КДФ117А2-2

Скачать спецификацию
Характеристика Значение
Область рабочих температур, 0С -60..+85
Эффективная фоточувствительная площадь, мм2 10,0
Темновой ток элемента при U=10 B, типичный (max), нА 3,0 (30)
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 365 нм 0,12
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 660 нм 0,38
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 780 нм 0,48
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при λ = 830 нм 0,50
Спектральный диапазон, нм 320-1100
Длина волны максимума спектральной чувствительности при U = 10 В, нм 890
Ток короткого замыкания при 100 лк, мкА 3,8
Емкость при F=1МГц, U=0 (10) В, пФ 165 (35)
Время нарастания (спада) при U = 15 В, Rн = 50 Ом, нc 12,5 (13,5)
Предельная частота при U = 15 В, Rн = 50 Ом, МГц 29
Удельная обнаружительная способность при T = 25 0C, λ = 870 нм, U = 10 мВ, см√Гц/Вт 1,3 1013
Сопротивление при нулевом смещении, Мом > 125
Температурный коэффициент темнового тока, n/0C 1,108
Размер чипа, мм 3,5x3,5
Размер фоточувствительного элемента, мм 3,19х3,19
Плоский угол зрения по уровню 0,5, град 90
Габариты без выводов, мм 8,2