30 лет успешно решаем задачи миниатюризации фотоприемных устройств
Наше предприятие имеет честь предложить Вам свою продукцию - фотодиоды и фотодиодные сборки, разрабатываемые силами высококлассных специалистов и изготовляемые с использованием современных микроэлектронных технологий.
  • 5 класс точности
  • Последние достижения в технологии монтажа новейшие электронных компонентов ведущих мировых производителей

Достоинства:

  • высокая чувствительность;
  • большая площадь фоточувствительной площадки;
  • низкий шум;
  • наличие базовых встроенных элементов обратной связи;
  • возможность дополнительного подключения внешних цепей обратной связи;
  • Rail-to-Rail по выходу;
  • малые габариты корпуса, адаптированного под поверхностный монтаж.

Возможные области применения:

  • лабораторное оборудование широкого профиля;
  • датчики положения и зазора;
  • медицинская аппаратура;
  • датчики дыма;
  • фото анализаторы;
  • детекторы валюты.

Конструкция:

Кристалл кремниевой фотодиодной структуры (ФДС)  p+ν-n+  типа, операционный усилитель AD8605 и элементы обратной связи смонтированы на печатной плате в монтажных колодцах с лицевой и тыльной стороны, соответственно, с последующей герметизацией оптическим компаундом фоточувствительного кристалла и силиконовым герметиком электронных узлов. Этажерочная конструкция сборки при минимальных габаритах соответствует требованиям поверхностного монтажа. В зависимости от варианта исполнения площадь фоточувствительной площадки монтируемого кристалла равна 3,2 мм² или 10 мм². Диапазон рабочих температур от -25 ºС до +85 ºС.

Фотоэлектрические характеристики.

(Uпит = ± 2,5 В; Uфд = 10 В; внутренняя ОС; tº = +23 ºC)

Параметр Условия измерения Значение
Тип. Макс.
Напряжение смещения, мВ при отсутствии засветки 1*

3**

11*

33**

Чувствительность, В/мВт λ = 890 нм 500
Частота среза, кГц -3 дБ 65*

45**

Напряжение шума, мВ с.к.в. при отсутствии засветки

В полосе частот от 0,1 кГц до частоты среза

0,23
Сопротивление трансимпеданса, кОм 1000
Ток потребления, мА 1 1,4

*  для ФДС 3,2мм2                  **  для ФДС 10мм2

Параметры фоточувствительного кристалла

Параметр Условия измерения Значение
Мин. Тип. Макс.
Эффективная площадь фоточувствительной площадки, мм2 3,2*

10**

Темновой ток, нА U = 10 В 1,0*

3,0**

10*

30**

Ёмкость, пФ U = 0 / 10 В

 

U = 0 / 10 В

55/12*

 

165/35**

Монохроматическая  чувствительность, А/Вт λ = 890 нм

U = 10 В

0,5 0,55
Спектральный диапазон, нм 320 1100
Рабочее напряжение, В 0 15
Максимальное напряжение, В 30

*  для ФДС 3,2мм2                  **  для ФДС 10мм2

 

Параметры усилителя

Параметр Условия измерения Значение
Мин. Тип. Макс.
Напряжение питания, В 2,7

(±1,35)

5,5

(±2,75)

Напряжение смещения, мкВ Uпит = ±2,5 В

Uвх = 0 В

20 65
Входной ток, пА 0,2 1,0
Разность входных токов, пА 0,1 0,5
Напряжение шума, приведённое ко входу, нВ/√Гц F = 1кГц

F = 10кГц

8

6,5

12
Шум входного тока, пА/√Гц F = 1кГц 0,01
Полоса пропускания, кГц 10000
Скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс 5
Коэффициент усиления с разомкнутой цепью обратной связи, дБ Uпит = 5 В 120
Выходной ток, мА Uпит = 5 В

Uпит = 2,7 В

±80

±30

Ток потребления, мА 1 1,4