30 лет успешно решаем задачи миниатюризации фотоприемных устройств
Наше предприятие имеет честь предложить Вам свою продукцию - фотодиоды и фотодиодные сборки, разрабатываемые силами высококлассных специалистов и изготовляемые с использованием современных микроэлектронных технологий.
  • 5 класс точности
  • Последние достижения в технологии монтажа новейшие электронных компонентов ведущих мировых производителей

Фотомикросхема ФДУ-113С разработана и выпускается ООО «МЭРИ» на базе трансимпедансного усилителя TZA1033 фирмы Siemens и фотодиодной структуры ФДС-113 ООО «МЭРИ».

Основные преимущества:

— низкий уровень шума на входе — 1 рА/Гц1/2,

— широкий динамический диапазон входного тока – от 0,25 мкА до 1,6 мА,

— дифференциальный трансимпеданс 44 кОм,

— широкая полоса пропускания – 130 МГц,

— дифференциальный выход,

— однополярное питание от 3,0 до 5,5 В.

Фотомикросхема предназначены для использования в качестве приемника в оптических линиях связи.

В таблице приведены ее основные характеристики:

Символ Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед. измер.
Vcc Напряжение питания 3 5 5,5 В
Icc Ток потребления На переменном токе,

Rн = 50 Ом.

Vcc=5 В

Vcc=3,3 В

 

 

20

20

 

 

38

35

 

 

60

50

 

 

мА

мА

Ptot Потребляемая мощность Vcc=5 В

Vcc=3,3 В

100

60

190

116

330

180

мВт

мВт

Tj Температура р-n перехода -40 +125 оС
Tamb Температура окружающей среды -40 +25 +85 оС
Rtr Малосигнальный трансимпеданс Дифференциальный выходной сигнал:

Rн=∞

Rн=50 Ом

 

 

42

21

 

 

90

45

 

 

112

66

 

 

кОм

кОм

Vd Напряжение смещения фотодиода 5 40 В
τ Длительность фронта нарастания/спада λ=850 нм, Vd=40 В 6/20 12/26 нс
Vo Амплитуда выходного сигнала (дифференциальная мода) Vcc=5 В

 

200 мВ

 

Динамический диапазон автоматической регулировки усиления составляет 79 дБ, что соответствует изменению входного тока от 0,25 мкА до 1,0 мА (сигнал на выходе АРУ 4,65-4,17 В).

Характеристики используемой кремниевой p+-ν-n+ фотодиодной структуры

Параметр Значение Единицы измерения
Площадь фоточувствительной области 0,5 мм2
Диапазон спектральной чувствительности 400-1100 нм
Максимум спектральной чувствительности (λ=830нм) 0,55 А/Вт
Темновой ток (тип./макс.), Uсм=10 В 0,02/1 нА
Емкость p-n-перехода при Uсм=0/10 В 2,5-4,0/0,7-1,4 пФ
Удельная обнаружительная способность 2,2*1013 смГц1/2/Вт